基于普通體硅襯底進(jìn)行 LPCVD 和 PECVD 氮化硅 PDK 器件庫開發(fā),研發(fā) 出了覆蓋 100-800nm 厚度的超低損耗 PESIN 工藝,部分器件指標(biāo)如下
基于普通體硅襯底進(jìn)行 LPCVD 和 PECVD 氮化硅 PDK 器件庫開發(fā),研發(fā) 出了覆蓋 100-800nm 厚度的超低損耗 PESIN 工藝,部分器件指標(biāo)如下:
▲200nm 氮化硅器件庫
▲400nm 氮化硅器件庫
