基于普通體硅襯底進行 LPCVD 和 PECVD 氮化硅 PDK 器件庫開發(fā),研發(fā) 出了覆蓋 100-800nm 厚度的超低損耗 PESIN 工藝,部分器件指標如下
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微電子所硅光平臺 PDK 已實現與主流光子集成設計軟件集成。用戶可 以在軟件中調用 IMECAS 工具包,利用平臺 PDK 提供的器件庫,便捷、靈活 地進行符合平臺規(guī)范的硅光芯片設計。
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平臺配置了商用級 8/12 英寸硅光晶圓測試系統(tǒng),該解決方案基于成 熟可靠的 12 寸探針臺和納米級精密定位組件,搭建起高效且兼容性高的 光電混合測試系統(tǒng)。
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面向后摩爾時代微電子與光電子的發(fā)展需求,中國科學院微電子所基于 8 英寸 CMOS 工藝線開發(fā)國內首個具有完整硅光工藝流片能力的 8 英寸硅光 平臺。
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國內首個 8 英寸硅光平臺，2017 年 5 月正式發(fā)布，專注于硅基光子集成芯片制造工藝， 產業(yè)化公司運營服務，專業(yè)高效的服務流程,已累計服務客戶 300 余家
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