微電子所硅光平臺(tái)每年可對(duì)外提供 6-8 次基于 8 英寸 SOI 襯底 130nm工藝節(jié)點(diǎn)的MPW流片服務(wù),工藝模塊包括220 nm/150 nm/70 nm 等深度的無源器件刻蝕工藝、高速調(diào)制器摻雜工藝、TiN 加熱器工藝、 鍺探測(cè)器外延工藝、硅和鍺的歐姆接觸及金屬互連工藝等。
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2023 年第 4 季度及 2024 年有關(guān) 220nm 頂硅 SOI 有源/無源 MPW、200nm 氮化 硅 MPW 流片計(jì)劃如下圖所示;石英及厚硅 SOI 等工藝采用定制化流片方式,工 藝方案通過技術(shù)評(píng)審后即可簽訂合作。
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